当社は、青色レーザダイオードアニール(BLDA)を用いて，ボトムゲートのCu電極上に，クラックや電極のアブレーションのないラテラルシリコン結晶を作製しました。CWレーザーアニールでは、長い照射時間と広いビーム幅により、ガラス基板や電極を加工しますが、基板へダメージを与えることが課題でした。今回の研究では、狭いビームサイズと速い走査速度を採用し、アニール時に発生する熱量を低減したことで、ダメージの軽減が成功いたしました。発表では、Cu電極上に作製したSi結晶の評価、金属損傷のない断面SEMの結果、レーザー照射時間と損傷の関係について講演いたしました。

 

今回開発したBLDAシステムは、高いTFT移動度を実現でき、低コストである為、Mini LEDバックライトやOLEDなどへの応用が期待されます。バックプレーンの製造コストの低減と画質の改善に寄与する技術として研究開発を重ねており、5月17日のヴァーチャルカンファレンスにて発表いたしました。

 

当日はオンラインにも関わらず、数多くの問合せを頂だき、関心の高さを改めて確認することができました。ご多忙の折、カンファレンスへ参加いただきましたこと御礼申し上げます。