BLDAによる銅電極上のa-Si膜の結晶化技術

青色レーザダイオードアニール(BLDA)により,ボトムゲートのCu電極上に,クラックや電極のアブレーションのないラテラルシリコン結晶を作製しました。CWレーザーアニールでは、長い照射時間と広いビーム幅により、ガラス基板や電極、メンブレンにダメージを与えるため、今回の研究では、狭いビームサイズと速い走査速度を採用し、アニール時に発生する熱量を低減しました。発表では、Cu電極上に作製したSi結晶の評価、金属損傷のない断面SEMの結果、レーザー照射時間と損傷の関係について講演いたしました。

 

今回開発したBLDAシステムは、高いTFT移動度を実現でき、低コストである為、Mini LEDバックライトやOLEDなどへの応用が期待されます。バックプレーンの製造コストの低減と画質の改善に寄与する技術として研究開発を重ねており、5月17日のヴァーチャルカンファレンスにて発表いたしました。

 

当日はオンラインにも関わらず、数多くの問合せを頂だき、関心の高さを改めて確認することができました。ご多忙の折、カンファレンスへ参加いただきましたこと御礼申し上げます。