プログラム番号＆発表時間：

Session 41, Display Manufacturing Methods and Equipment,　番号41.3, 発表時間　6月2日 10:20- 12:20

 

 

内容(BLDAの基本コンセプト紹介)：

• BLDA研究の三つの重要な実験結果および期待応用の紹介

 

• 銅など低融点金属bottom gate TFT上のポリシリコンの成功、低コストのＬＴＰＳ技術の紹介。本技術採用により投資コストの削減とactive-matrix mini-LEDバックライトを低コストで実現可能。

 

• Top-gate TFT 構造において大粒径、表面凹凸の少ないラテラルポリシリコンが結晶が得られた。ラテラルポリシリコンの表面凹凸の少なさを生かしてTFTの電気的ストレスの耐久性、メカ的に曲げ、折り畳みの耐久性Ｕｐと、フレキシブル、フォーダブルデバイスへの性能UPに貢献可能。

 

• Top-gate TFT 構造において大粒径、アモルファスシリコン膜にSiO2のキャップ層を付け、アニール条件の最適化により単結晶のシリコンを実現。