The laser annealing for crystallization of amorphous silicon using blue light semiconductor laser
プログラム番号&発表時間:
Session 41, Display Manufacturing Methods and Equipment, 番号41.3, 発表時間 6月2日 10:20- 12:20
内容(BLDAの基本コンセプト紹介):
- BLDA研究の三つの重要な実験結果および期待応用の紹介
- 銅など低融点金属bottom gate TFT上のポリシリコンの成功、低コストのLTPS技術の紹介。本技術採用により投資コストの削減とactive-matrix mini-LEDバックライトを低コストで実現可能。
- Top-gate TFT 構造において大粒径、表面凹凸の少ないラテラルポリシリコンが結晶が得られた。ラテラルポリシリコンの表面凹凸の少なさを生かしてTFTの電気的ストレスの耐久性、メカ的に曲げ、折り畳みの耐久性Upと、フレキシブル、フォーダブルデバイスへの性能UPに貢献可能。
- Top-gate TFT 構造において大粒径、アモルファスシリコン膜にSiO2のキャップ層を付け、アニール条件の最適化により単結晶のシリコンを実現。